La memoria de cambio de fase (PCM), que combina la naturaleza no volátil de la memoria flash con las velocidades de la memoria DRAM, podría empezar a verse en dispositivos móviles el año que viene. Hay distintas compañías empeñadas en el desarrollo de su propia PCM, pero parece que Intel y Numonyx han dado con la clave para acercar PCM más densa al mercado, introduciendo “un array PCM completo entre dos capas metálicas en un chip CMOS”. Aunque al principio será cara y aún deben resolver cuestiones técnicas, parece que el año que viene podría haber ya algunos móviles que incorporaran este tipo de memoria.
Fuente: Arstechnica
La memoria de cambio de fase para el 2010; aun más cerca del consumidor.
viernes, 30 de octubre de 2009
0 comentarios